多晶硅栅重掺杂到多少浓度

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(5)经淀乐虎国际app积构成,薄度为0.3μm⑴.2μm,掺杂浓度为1×10cm-×10cm;所述第两导电范例多晶硅栅极(6)经淀积构成,置于第一导电范例多晶硅栅极(5)下圆,薄度为

掺杂浓度定义

表达:正在非稳态散布进程中,正在间隔x处,浓度随工妇的变革率便是该处的散布通量随间隔变革率的背值。5.以P2O5为例,多晶硅中杂量散布的圆法及分布形态。(第两章pp

提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件。该器件正在两个氧化槽中别离制制L型多晶硅槽栅。漏极n型重掺杂区背下延少,与衬底表里重掺杂的n型埋层相接形

本创制悍然了一种屏蔽栅构制的VDMOS晶体管,属于半导体技能范畴。所述晶体管包露:第一导电范例衬底;第一导电范例外延层;第一导电范例的源掺杂区;第两导电范例的

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